Spisu treści:
- Definicja - Co oznacza Ferroelektryczna pamięć o swobodnym dostępie (FRAM)?
- Techopedia wyjaśnia Ferroelektryczną pamięć o dostępie swobodnym (FRAM)
Definicja - Co oznacza Ferroelektryczna pamięć o swobodnym dostępie (FRAM)?
Ferroelektryczna pamięć o swobodnym dostępie (FRAM, F-RAM lub FeRAM) jest formą nieulotnej pamięci podobnej do architektury DRAM w architekturze. Wykorzystuje jednak warstwę ferroelektryczną zamiast warstwy dielektrycznej w celu osiągnięcia nielotności. Uważana za jedną z potencjalnych alternatyw dla nieulotnych technologii pamięci o dostępie swobodnym, ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym zapewnia te same funkcje, co pamięć flash.
Techopedia wyjaśnia Ferroelektryczną pamięć o dostępie swobodnym (FRAM)
Mimo nazwy ferroelektryczna pamięć o swobodnym dostępie nie zawiera żelaza. Zazwyczaj wykorzystuje tytanian cyrkonianu ołowiu, chociaż czasami stosuje się również inne materiały. Chociaż rozwój ferroelektrycznej pamięci RAM sięga początków technologii półprzewodnikowej, pierwsze urządzenia oparte na ferroelektrycznej pamięci RAM zostały wyprodukowane około roku 1999. Ferroelektryczna pamięć RAM składa się z linii bitowej oraz kondensatora podłączonego do płytki. Wartości binarne 1 lub 0 są przechowywane na podstawie orientacji dipola w kondensatorze. Orientację dipola można ustawić i odwrócić za pomocą napięcia.
W porównaniu z bardziej ugruntowanymi technologiami, takimi jak flash i DRAM, ferroelektryczna pamięć RAM nie jest bardzo używana. Ferroelektryczna pamięć RAM jest czasami osadzona w układach opartych na CMOS, aby pomóc MCU w tworzeniu własnych pamięci ferroelektrycznych. Pomaga to mieć mniej etapów włączania pamięci do MCU, co prowadzi do znacznych oszczędności kosztów. Zapewnia również kolejną zaletę niskiego zużycia energii w porównaniu z innymi alternatywami, co znacznie pomaga MCU, w których zużycie energii zawsze było barierą.
Istnieje wiele korzyści związanych z ferroelektryczną pamięcią RAM. W porównaniu z pamięcią flash ma mniejsze zużycie energii i większą wydajność zapisu. W porównaniu z podobnymi technologiami ferroelektryczna pamięć RAM zapewnia więcej cykli kasowania zapisu. Większa niezawodność danych dzięki ferroelektrycznej pamięci RAM.
Istnieją pewne wady związane z ferroelektryczną pamięcią RAM. Ma mniejszą pojemność niż urządzenia flash i jest również drogi. W porównaniu do DRAM i SRAM, ferroelektryczna pamięć RAM przechowuje mniej danych w tej samej przestrzeni. Ponadto ze względu na niszczycielski proces odczytu ferroelektrycznej pamięci RAM wymagana jest architektura zapisu po odczytu.
Ferroelektryczna pamięć RAM jest wykorzystywana w wielu aplikacjach, takich jak oprzyrządowanie, sprzęt medyczny i mikrokontrolery przemysłowe.
