Co to jest dynamiczna pamięć o swobodnym dostępie (dram)? - definicja z techopedia

Definicja - Co oznacza pamięć DRAM (Dynamic Random Access Memory)?

Dynamiczna pamięć o swobodnym dostępie (DRAM) to rodzaj pamięci o swobodnym dostępie wykorzystywanej w urządzeniach komputerowych (głównie komputerach). DRAM przechowuje każdy bit danych w osobnym pasywnym elemencie elektronicznym, który znajduje się w płytce drukowanej. Każdy element elektryczny ma dwa stany wartości w jednym bicie zwanym 0 i 1. Ten captivator wymaga częstego odświeżania, w przeciwnym razie informacje zanikają. DRAM ma jeden kondensator i jeden tranzystor na bit, w przeciwieństwie do statycznej pamięci o swobodnym dostępie (SRAM), która wymaga 6 tranzystorów. Zastosowane kondensatory i tranzystory są wyjątkowo małe. Istnieją miliony kondensatorów i tranzystorów, które pasują do jednego układu pamięci.

Techopedia wyjaśnia dynamiczną pamięć o dostępie swobodnym (DRAM)

DRAM to pamięć dynamiczna, a SRAM to pamięć statyczna. Układy DRAM na płytce drukowanej muszą odświeżać się co kilka milisekund. Odbywa się to poprzez przepisanie danych do modułu. Żetony wymagające odświeżenia to pamięć ulotna. DRAM uzyskuje bezpośredni dostęp do pamięci, przechowuje pamięć na krótki czas i traci dane po wyłączeniu zasilania. SRAM to pamięć ulotna, która jest statyczna i nie wymaga odświeżania. Ponieważ SRAM jest znacznie szybszy, jest używany w rejestrach i pamięci podręcznej. SRAM przechowuje dane i działa z większymi prędkościami niż DRAM. Chociaż SRAM jest szybszy, DRAM jest częściej używany na płycie głównej, ponieważ jest znacznie tańszy w produkcji.

Trzy główne typy płytek drukowanych zawierających układy pamięci to podwójne moduły pamięci (DIMM), pojedyncze moduły pamięci (SIMM) i moduły pamięci Rambus (RIMM). Obecnie większość płyt głównych korzysta z modułów DIMM. Częstotliwość odświeżania modułu dla pamięci DRAM wynosi co kilka milisekund (1/1000 sekundy). Odświeżanie odbywa się za pomocą kontrolera pamięci umieszczonego na chipsecie płyty głównej. Ponieważ logika odświeżania jest używana do automatycznego odświeżania, płytka drukowana DRAM jest dość złożona. Istnieją różne systemy odświeżania, ale wszystkie metody wymagają licznika, aby śledzić wiersz, który należy odświeżyć w następnej kolejności. Ogniwa DRAM są zorganizowane w kwadratowy zbiór kondensatorów, zwykle o wymiarach 1024 na 1024 ogniwa. Gdy komórka jest w stanie „odczytu”, cały wiersz jest odczytywany, a odświeżanie jest zapisywane ponownie. W stanie „zapisu” cały wiersz jest „odczytywany”, jedna wartość jest zmieniana, a następnie cały wiersz jest przepisywany. W zależności od systemu istnieją układy DRAM zawierające licznik, podczas gdy inne systemy korzystają z logiki odświeżania urządzeń peryferyjnych, która obejmuje licznik. Czas dostępu do pamięci DRAM wynosi około 60 nanosekund, a SRAM może wynosić zaledwie 10 nanosekund. Również czas cyklu pamięci DRAM jest znacznie dłuższy niż czas pamięci SRAM. Czas cyklu SRAM jest krótszy, ponieważ nie musi się zatrzymywać między dostępem i odświeżaniem.